李肇基

李肇基教授，由离博士导师，享受国家特殊津贴专家，四川省科技顾问团顾问。1963年毕业于(现电来自子科技大学)半导体360百科专业。

• 中文名 李肇基
• 民    族 汉族
• 国    籍 中国
• 毕业院校 成都电讯工程学院

简介

　　李肇基教授，博士导师，享受国家特殊津贴专家，四川省科技顾问团顾问。1963年毕业来自于(现电子科技大学)半导体专业。1963年至今在该校从事半导体和微电子学方面的科研和教学工作，多次荣获"三育人"先进个人、优秀教师等称号，其中1982年至1984年作为访问学者赴美国乔治亚理工学院工作，1984年回国后主要研究领域是新型功率器件和智能功率集成电路。指导博士生和硕士360百科生五十余名，鉴定科技成果12项，获国家专利两项，获国家科技进步三等奖，国家发明四等奖、电子部科技进还厂脚我神杂验身步奖等8项。在IEEE等料基须衡报府担状吧发表论文四十余篇，被邀为国际杂志《Solid-State El圆二践么混指河仅海与表ectronics》审稿人。作为课题负责人之一的八·五攻关项目"新型功率MOS器件"于1996年11月获国家计委，国家科委和财政部联合表彰。在IEEE Trans ED(1994，No.1更成2)等中，提出了CLIGBT有非平衡电子抽出的模型和网络模型及模型直接嵌入法最末矿等切满消机车磁划。并提出一种具有键合贵投容衬底的绝缘栅场效应晶体管(IGBT)，此结构可普马光讨差文民将增适于电导型调制功率器就果生针父件，获发明专利。用国产单晶汉尽展西便分染重硅材料取代昂贵的进口外行凯价延片制作IGBT。在IEEE 上真爱这都称析径故政远Trans. ED(1994，音临万晚营弱使钟承No.12)提出CLIGBT瞬态响应模型。在Solid-State Electron(1991，No.3)提出功率MOS晶体管热特性分析的全热程电热模型。在Solid析给率-State Electron两皇位套晚氢(2000，No.1)促官纸席球充图矛期中提出电导调制型功率器件的非平衡载流子非准静态抽出模型。在福致长员选然ICCCAS(2002 June)提出了SOI高压横向器件的新结构及其界面电荷耐压着年照油费破德非院服固模型。​

主要成果如下

　　祖成并浓兰清收材倒某§ MOS类新型电力电子器件及其技术"，国家科技进步三等奖，1998(2);

　　§ 一种具有复合屏蔽层耐压的高速高压功率半导体器件"，国家发明四等奖，1996(2);

　　§ "XXXX功率器件"，国防科技二等奖，2000(1);

　　§ "灵巧功率集成电路设计技术，1996~2000"。 已由电科院主持鉴定，达到国际先进水

　　平，验收获优。

　　§ "XXXX集成电路研究，1996~2000"。 已由电科院主持鉴定，达到国际先进水平，

　　验收获优。

　　§ 两个项目获2001年国防科技进步二等奖。

　　§ Z.J. Li，L.Y. Luo，Y.F. Guo，B. Zhang，J. Fang，J. Zeng，"Breakdown Theory of a

　　New SOI Composite Structure", ICCCAS, pp.1744-1747, June, 2002;

　　§ Z. J. Li, J. Fang, J. Yang, Analytical Turn-off Current Model for Type of

　　Conductivity Modulation Power MOSFETS with Extracted Excess Carrier,

　　Solid-State Electronics, Vol44, No. 1, pp1-9, 2000;

　　§ Z. J. Li, et al, Turn-off Transient Characteristics of Complementary

　　Insulated -Gate Bipolar Transistor, IEEE Trans. ED, ED-41，No.12，pp.2468-2471，

　　1994;

　　§ Z, J, Li, X. B. Chen et al. Analysis of thermal characteristics of VDMOS Power

　　Transistor, Solid State Electronics，Vol.34， No.3， pp.225-231，1991;

　　§ Z. J. Li, M. Zhang, J. M. Zhao and X. N. Li, Extracted Current Turn-off Model for

　　Type of the Power MOS Transistor with Conductivity Modulation，

　　Chinese J. Electronics， Vol.7，No.3，pp.223-227，1998;

　　§ X. B. Chen，B. Zhang and Z. J. Li，Theory of Optimum Design of Reverse-Biased p-n

　　Junctions using Resisted Field plates and Variation Lateral Doping,

　　SSE Vol. 35，No.9，pp1365-1370，1992;

　　§ Z. J. Li, et al, Calculation of Electric Field Profile of High Voltage Devices With

　　Junction Termination Extension，Proc. ICSICT Oct，pp462-464，1989;

　　§ Q. Liu(刘启宇), Z. J. Li(李肇基), B. Zhang(张波), J. Fang(方健),

　　"The Research on Breakdown Voltage of High Voltage LDMOS Devices with Shielding

　　Trench", Proc. ICSICT,10, pp.155-158, 2001;

　　§ Li Zhaoji, Guo Yufeng , Zhang Bo, J Fang ian, Li Zehong, A New 2-D Analytical Model

　　of Double RESURF in SOI High Voltage Devices, Proceedings of ICSICT04, 2004，

　　pp. 3 28-331.(ISTP)

　　§ Guo Yufeng, Li Zhaoji, Zhang Bo, Fang jian, An Analytical Breakdown Model of High

　　Voltage SOI Device Considering the Modulation of Step Buried-oxide Interface

　　Charges, Proceedings of ICSICT04, 2004, pp357-360.(ISTP)

　　§ Baoxing Duan , Bo Zhang , Zhaoji Li，"A New Partial SOI Power Device Structure with

　　P-type Buried Layer"，Solid-State Electronics，49，1965-1968。