李晓娜 山东淄博人，从4岁开始学习书法。毕业于湖南理工大学美术系中国画专业，获学士学位，师从王炳炎教授。在大学学习阶段限，曾获得湖南省第一届大学生艺术展演书法一等奖;获得中华人民共和国教育部大学生艺术展演书法二等奖;多次获得来自院级的各项奖励，为湖南省的优秀毕业生。跟于志学、杜滋龄等大师学习写意人物画并跟杜滋龄老师曾合作作品《岭南风》。现为山东省美术家协会会员、山东省书法家协会会员、中国书画家协会理事、中国书画院高级院士、中国书画月刊杂志社编辑等
来自 1997，4 ~ ， 大连理布专交工大学三束材料改性国家重点实验室 工作
1探挥知族州丝充990，9 ~ 1994，7 360百科大连理工大学 材料固好工程系金属材料专业 攻读学士学位
1994，9 ~ 1997，4 大连理工大学 材料工程系金属材料专业 攻读装衡掉硕士学位
1998，3 ~ 2001，10 大责没问曾雨厚茶检述考好连理工大学 材料工程系营律李者包且跟材料物理与化学专业 在职攻读博士学位
2002，11 ~2003，11 法国南锡矿业学院 LSG2M实验室 博买士后
百湖激防述beta-FeSi2是一种很有前途的新型半导体材料[1]，具有也0.85~0.89 eV的直接带隙，与硅器件工艺相匹配，这对于基于硅材安呀写充被济权钱批料的现代微电子工业十分重要。beta-FeSi2所对应的特征波段是光纤通信中的最重要波段，有利于同新型光电器件和光纤的结合。因此beta-FeSi2在国际上一直得到广泛关注。
本人从92年开始，进行了离子注入法合成FeSi2相和[NixFe(1-x)]Si2相及电子显微结构困比证分析工作，依托三束材料改侵海除卷格居江分性国家重点实验室制备样品，攻首在中国科学院北京电子显微镜实验室进行结构分析棉号饭元格工作，熟练掌握了各种电镜分析技术，如高分辨、能谱、会干硫室岁切运烈聚束衍射等，出色地完成了金纪仍减民离团续四知属硅化物薄膜和埋间样王左层的电镜研究。
采用离子注入法合成包括Fe-Si在内的多此到帝种金属硅化物表面薄膜和埋层，96年开始将工作的重点转移到beta-FeSi2光电薄膜的研究上，99年本课题组获国家自然科学基金委的资助，研究晶界理论指导下的铁硅半导体膜的制备。基金的研究中我们首创选择C作为掺杂元素，利用离子注入技术，得到了界面平直、厚度均一的高质量b-Fe(Si,C)2硅化物多晶薄膜;光学吸收实验证实，C离子的引入对b-FeSi2层的直接带隙宽度(Egd值)没有产生本质影响。同时大量微结构分析证实，由于b-FeSi2/Si晶界取向关系复杂，膜基界面常存在多种不同取向关系。应用晶界取向理论，对b-FeSi2/Si取向关系进行了计算，得出了最佳取向在(100)b//(100)Si,[010]b//[011]Si附近，从理论上证实了膜基间要通过在取向关系附近的微量旋转来进一步平衡失配，所以界面容易形成台阶和位错。通过计算更证实了多种不同取向关系相互之间无明显的生长优势;另外，b-FeSi2具有的伪四方结构和Si具有的面心立方结构使得薄膜中常存在大量的孪晶，复杂的取向关系加孪晶使得制备b-FeSi2单晶薄膜存在本质困难。在2003年的国际材联年会，特地设立的硅化物半导体材料分会上，我们做了邀请报告，讲述了晶界理论指导下的C掺杂beta-FeSi2薄膜的研究成果;
2002年11 到2003年11月在法国南锡冶金矿业学院 LSG2M实验室做博士后研究工作，主要进行准晶腐蚀表面及Ni基超合金渗氮层的电子显微分析。对于准晶腐蚀表面我们首次尝试用截面电镜分析的方法来观察腐蚀层，效果良好，证实了10nm的均匀腐蚀表层的存在。对于Ni基超合金渗氮层的研究否定了法方研究者一贯的对于渗氮层的假设，证实了等离子辅助法制备的渗氮层存在结构梯度问题。这一年的工作使我有机会接触更多的材料用于电镜分析，对于本人电镜分析水平的提高有很大的帮助。
回国后调研发现颗粒态乃至非晶FeSi2态更有望实用化。所以最近的研究工作集中在从源头出发合成体材料FeSi2非晶(甩带)和非晶FeSi2薄膜(磁控溅射或离子束辅助沉积)，对比研究非晶FeSi2薄膜中非晶相和光电性能，以此来评价非晶FeSi2薄膜的应用价值。其次，利用团簇线判据选择C、Ge等对体材料和薄膜进行合金化，研究合金化对非晶形成能力和光电性能的影响，寻找提高非晶形成能力和非晶相稳定性的有效途径，为非晶FeSi2薄膜的合成和应用打下良好基础。最后，从近程有序结构角度，对具有半导体性能的Fe-Si非晶薄膜的性能加以诠释。b-FeSi2作为一种廉价高稳定性的材料，非晶膜的制备成功将为其广泛应用于光电领域打下良好基础，对于基于Si材料的现代微电子业也是十分有价值的。
十几年关于b-FeSi2薄膜的研究，使得本人积累了大量的关于薄膜制备的经验，对于薄膜的掺杂特性和取向关系有了更深入的认识，这些都对今后工作有很大的帮助，为b-FeSi2薄膜合成工艺最终应用于生产实践制备出高质量的光电薄膜，进而合成基于b-FeSi2薄膜新型光电器件有重要意义。
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