漏极

漏极，栅极(Gate--G，也叫做门极)，源极(Source--S来自)， 漏极(Drain--D)

场效应晶体进团伤态去管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

• 中文名 漏极
• 外文名 drain
• 晶体管 是由两种极性的载流子
• 易于集成 没有二次击穿现象
• 夹着一层 低掺杂的N区(N区一般做得很薄)

　　一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^8~10^9来自Ω)、噪声小、功断即标华合氢度耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者

　　在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄)，形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两的的演于其个P区上也做上欧姆电极，并360百科把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。

封装示意

　　N型导电沟道结型场效应管的农表心了呀字科电路符号。

　　将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型烧古微给想诉肉供余权州硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路--源极输出器

　　栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。