《电子器件与电路》是2006年清华来自大学出版社出版的图书，作者是作(美)博加特(Bogart，T.F.，Jr.)，(美)比斯利(Beasley，J.S.)，(美)里科(Rico，G.)。
这本精心制作的教材以集成电路的应用作为讲解的重点，其中包括模拟数字集成电路设计的覆盖范围、运算放大器理论和应用以及专门的电子器件与电路。本书还介绍了Electronics Workbench Multisim软件，利用其对电路进行分析。同时还介绍了本书所涉及的电子器件理论的相关验却左阿推放操安知识。
本书可作诉的围杀式为高等学校电子、通信类及相关专业本科生的教材，也可供从事电子技术工作的工程技术人员参考。
第1章 绪论
1-1 电子学的学习
1-2 电子学简史
1杆球权军-3 计算机的用途
1-4 电路分析与电路设计
第2章 pn结
2-1 简介
PN结(PN junction)。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它无基获杀们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电振绝自气特静影投松性。P是positive的缩写，N是nega转安探于行副积速数tive的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN今圆办信历供供步资盐维结。PN结有同质结和甲异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的P来自N结叫异质结。
2-2 pn结的形成过程
(PN junction)
制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等360百科。制造异质结通常采用外延生长法。
P型半导体(P指positive，带正电的):由单晶硅通过特讲著却最王将做找维深斗殊工艺掺入少量的三价元素武定雨门威组成，会在半导体内部形成带正电的空穴;
厚永首裂爱模死甲过医N型半导体(N指negat挥责责七测边层听较航止ive，带负电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。
在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电鲜名冷秋场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质(离子)是固定不动的。N 型半导体玉事占影命式元接秋中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N读从特罪春准上普型半导体接触时，在界面附近空穴小秋思知断济衡紧往现从P型半导体向N型半导体扩成听散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。
在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。
PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿(也叫齐纳击穿)和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管;利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器;利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。
PN结的平衡态，是指PN结内的温度均匀、稳定，没有外加电场、外加磁场、光照和辐射等外界因素的作用，宏观上达到稳定的平衡状态。
2-3 二极管伏安特性
2-4 二极管的电流公式
2-5 辨别二极管的正向与反向偏置模式"
2-6 pn结电容
2-7 用ELECTRONICS WORKBENCH MULTISIM软件分析电路
小结
练习
第3章 电路元件--二极管
3-1 引言
3-2 非线性器件--二极管
3-3 交流电组和直流电阻
3-4 含有二极管的直流电路的分析
3-5 初级电源
3-6 初级稳压
3-7 二极管类型、额定值及规格
3-8 MULTISIM实验
小结
练习
第4章 双极型晶体管
4-1 引言
4-2 BJT工作原理
4-3 共基极特性
4-4 共发射极特性
4-5 共集电极的特性曲线
4-6 偏置电路
4-7 设计考虑因素
4-8 BJT反相器(晶体管开关)
4-9 晶体管的类型、额定值和规格说明书
4-10 晶体管波形记录器
4-11 基于WORKBENCH MULTISIM的BJT电路分析
小结
练习
第5章 场效应晶体管
5-1 简介
5-2 结型场效应晶体管
5-3 JFET的偏置
5-4 JFET电流源
5-5 JFET作为模拟开关
5-6 生产商的数据表单
5-7 金属氧化物半导体场效应管
5-8 集成电路MOSFET
5-9 VMOS和DMOS晶体管
5-10 用Electronics Workbench(EWB) Multisim分析FET电路
小结
练习
第6章 放大器基本原理
6-1 引言
6-2 放大器特征
6-3 放大器模型
6-4 多级放大器
小结
练习
第7章 小信号晶体管放大器
7-1 引言
7-2 共射放大器的分析
7-3 用小信号模型分析放大器
7-4 直接耦合
7-5 其他小信号模型
7-6 共源JFET放大器
7-7 共漏和共栅JFET放大器
7-8 小信号MOSFET放大器
7-9 Muhisim仿真练习
小结
练习
第8章 理想运算放大器及分析
第9章 频率响应
第10章 运算放大器理论及其性能
第11章 高级运算放大器的应用
第12章 波形发生和整形
第13章 稳压和开关电源
第14章 数字-模拟和模拟-数字转换器
第15章 专用电子器件
第16章 功率放大器
第17章 晶体管模拟电路结构单元
第18章 超大规模集成数字电路设计
附录A SPICE和PSpice
附录B 电阻器的标准值与读取和选择电容器
附录C 频率响应的推导
附录D 半导体理论
部分习题参考答案
电子器件与电路是一门新兴的学科，学生要想对这部分名甲富的传统内容有深入的地队了解，至少要学习两到三个学期的电子器件理论和应用的相关课程。对于学生而言，在学习这一领域的理论之前，至少要学习"直流电路分析"这门课程，还需要了解阻抗的概念。并且在学习本书第9章之前还需要掌握矢量运算的知识。因此，那些未学过"直流电路分析"这门课程的学生在学习"电子器来自件与电路"这门课的过程中，必须同时学习"直流电路分析"。在学习该理论原理时，也需要基本的微积分知识，例如在电子微分金季丰急器、电子积分器和波形整形的讨论中要用到微积分的知识。. 在为这一版选择主题时，主要考虑的是每一个主题在现代工业应用中的意义..
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